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三星修改半导体工艺线路图:3nm将放弃FinFET工艺

【天极网手机频道】虽然台积电、三星的7nm工艺已经上马,英特尔的10nm处置惩罚器也在6月开始出货,但晶圆巨子们的制程之战却更加胶着。

三星在日前的一场技巧交流活动中从新修订未来节点工艺的细节。三星称EUV之后,将在3nm工艺节点首发GAA MCFET(多桥通道FET)工艺,估计会在5nm节点后代替FinFET布局。

相较于年头?年月的路线图,三星6LPP只是简单地引入SDB,从而让晶体管密度提升0.18倍。另一个改变是删除4LPP节点,在路线图上只留下4LPE。三星还将3 GAAE和3 GAAP更名为3 GAE和3 GAP。

实际上,三星手中的5nm也仅仅是7nm LPP改善版,可视为第二代导入EUV工艺的产品。7nm LPP向后有三个迭代版本,分手是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。

关于工艺核心指标,5nm LPE虽然沿用7nm LPP的晶体管和SRAM,但机能增强11%,UHD下的密度会靠近130 MTr/mm²,跨越英特尔的10nm工艺和台积电的7nm工艺。在2021年推出的4nm LPE上,三星将晶体管密度做到137 MTr/mm²,靠近台积电5nm。

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